全球模拟集成电路大厂的豪赌

体WiFi安全性的准则。在这之外，Skyworks有自己的砷化镓电子技术、TC-SAW（热补偿微小声波频域）、准则SAW、锥体声波、组装和检测。此外，Skyewokrs还在Mexicali开展必要的注资，用做后来末端开通，支持先进装置的积体电路和检测。

英飞凌重新额定功率电三子器件的工工厂启用

英飞凌以前在2018年开始规划在匈牙利菲瓦萨（Villach）重新建300毫米裹晶片额定功率电三子器件的工工厂，注资大左右为16亿欧元，2021年9月末17日，这家的工工厂正式启用。这是英飞凌针对额定功率电三子器件的第二家300mm晶片的工工厂。首家晶片已未完成出货。第一之前扩产能够，是依赖于汽车大型企业、数据之前心、太阳能和风能等可再生能引发电层面的效益。

据金融时报报道，英飞凌在近日透露，将再花费24 亿欧元拓展其业务以依赖于效益，就会在4-5月内逐步增强至产能。菲瓦萨重新的工工厂将与德累斯顿的300mm生产线工厂合锥体，串连各地区发挥协同和弹性特色，实现虚拟全世界生产线。

意法电三子器件注资翻番

在2021年第三季度财务份文件就会上，意法电三子器件透露，目前为止母公司积存的订单能见度为18个月末近，远高于ST目前为止及仍未规划的2022年产能。而且月份的车用晶片产能仍未销售一空。月份意法电三子器件的融资财政支出原计划将远超左右34亿至36亿美元，较2021年的18亿元注资增加近一倍，主要用做大幅度提高产能，其之前都有在意大利Agrate 12英寸重新晶片工厂重新建第一条产能。

2021年7月末，意法电三子器件同月，其瑞典北雪平的工工厂工业用出首家200mm（8英寸）碳化铝（SiC）晶片片，这些晶片将用做生产线下一代电力磁性晶片的其产品原型。据意法电三子器件所称，与 150mm晶片相比之下，200mm晶片可增加产能，将工业用电三子器件举例来说范围差不多拓展1 倍，合格晶片出口量是150mm晶片的1.8 -1.9倍。

恩智浦月末1号工厂量产

2021年9月末，恩智浦电三子器件（天津）电三子器件检测之前心一期改装项目竣工量产，该之前心主要开展积体电路检测。该月末1号母公司是2015年恩智浦从飞思卡尔手之前母公司得来，经过多年的演进，其积体电路检测的工工厂产能已相似饱和，无法足够的生产线生活空间来大幅度引进重新的生产线装置，过渡到的工工厂的产能规模，承接未来就会重新其产品的生产线。

除此之外，月内之前旬，据国外媒锥体报道，晶片代的工工厂家联华磁性同月将于全球性多家客户服务携手，重整12A工厂产能，策划的客户服务将以议定市价预先偿还订金，确保得到重整后的仍然产能。其之前，恩智浦已同联华磁性达成6年晶片代工双方同意。

安森美好爸爸重新策略

月内，安森美改名，确立了母公司的重新军事战略：平板电引和平板感知。由传统IDM方式而向非常加灵活的Fab-Liter方式而转型，将采取非常加灵活的工业用路线和策略，未来就会就会退出规模不足的晶片工厂、探讨300mm晶片产能，并将提高国际准则积体电路后末端工厂的灵活性。

2021年Q2的财务份文件显示，安森美产品销售的6%用作了融资顺利未完成。安森美透露，未来就会两年将减小注资力度，由6%增加到12%，主要用做扩产300mm晶片工厂的产能，再一个是加强SiC客户服务关系片段，都有主空板沉底等事与愿违其产品，以及积体电路。而在2021年第三季度财务份文件电话就全会上，安森美透露，原计划到2022年将其主空板其业务产能增加四倍以上，并想要开展大量注资以拓展其装置和模块产能。到2022年，安森美原定其碳化铝收入将同比放缓一倍以上。

此外，月内8月末，安森美同月以4.15亿美元本金母公司SiC生产线商GT Advanced Technologies，并原计划注资拓展GTAT的研制出工作，以推进150mm和200mm SiC晶锥体土壤电子技术。

Microchip 4000万美元升至级的工工厂

2022年1月末，Microchip同月原计划斥资4000万美元用重新电子技术改装其科罗拉多斯普林斯电三子器件的工工厂，这将在未来就会六个月末内增加50至75 名员工，它将为的工工厂购得安装重新装置，由原本6英寸晶片转向8英寸晶片的生产线，这将使其可以生产线的晶片数量差不多翻倍。母公司原计划在未来就会六个月末内继续雇用50人~75人，并在未来就会两到五月内开展另一之前的扩张。

瑞萨车载MCU产能提高50%

瑞萨是全世界车规级电三子器件一条龙，在车用MCU层面掌握全球性两成比率。2021年9月末29日，瑞萨磁性在经营说明就会上透露，原计划到2023年将车载MCU产能提高50%以上（较2021年），同时将提高装置注资欠款，原定到2021年将超过800亿日元，到2022年将在600亿日元近，该母公司目前为止的装置注资欠款左右200亿日元。

SONY顺利未完成5700亿日元

2022年2月末8日，SONY召开了关于两家母公司合组后不太可能的经营军事战略的简报就会。就全会之前援引，为了遏制全球性电三子器件供应匮乏和存储效益拓展的措施，将有助于产能拓展和稳固采购网络的重新建，SONY将在5月内顺利未完成5700亿日元开展融资注资和研制出。

产能之外，2021年至2025年将注资左右2600亿日元。主要注资都有额定功率电三子器件用200mm线的改扩建、2022 年2月末4日同月的日本石川县重新建300mm线的重新建、现有建筑的开通推进、化合物电三子器件用200mm线的开发原计划。此外，SONY还原计划在菲律宾基地增加近线存储设备的出口量，在之前国确立存储设备基地，并拓展其名古屋的工工厂的电三子器件工业用装置工业用生活空间。

在框架稳固的采购网络之外，SONY强调，电三子器件80%的材料都签署了仍然合同规定，多方采购比例提高到70%以上。

到2025年，研制出费用原计划左右为3100亿日元。主要在电三子器件、HDD和电三子器件工业用装置三大其业务上减小研制出。

在电三子器件层面，SONY的整个电三子器件其业务能够是将营业额从原定在 2021年的3200亿日元增加到 2025年的3700 亿日元。SONY原计划侧重于车载和工业应用的额定功率电三子器件，在重点重视的额定功率 MOSFET之外，SONY原计划到2025年从第四的全球性比率升至到第三。

其之前，仅仅额定功率电三子器件的研制出，原计划在五月内注资1000亿日元，用来拓展铝额定功率电三子器件其产品阵容、开发高效积体电路、减速开发SiC和GaN其产品等。母公司目前为止主打的铝额定功率MOSFET是第8代，第9代导通电阻增加15%，第10代比8代增加了30%，即将开发第11代，比第8代导通电阻增加了40%，并且将在2023 年之前将铝额定功率 MOSFET其产品数量翻一番。母公司车载铝IGBT目前为止即将量产耐压750V和1.2kV的其产品，为了提高逆变器特性，2022年开始量产集成继电器和IGBT的重新其产品。第二代继电器集成其产品将在300mm线上生产线，2026年开始量产。

同时SONY原计划在2024年车种载充电器用SiC MOSFET其产品。在GaN电三子器件的研制出上，SONY原计划在2023年开始发放相结合GaN和铝额定功率MOSFET的其产品。便是与铝电三子器件相比之下，该其产品可将损耗减少一半。据闻，SONY的仅仅用GaN实现高速开关，电引单元锥尺寸比铝减小左右60%的第二代其产品即将开发之前。

另一项减小研制出的其业务是近线存储设备HDD，电子技术开发HDD车型，该其业务市场挑战对数据之前心/云营运商的效益即将拓展，原定2021年至2030年的复合年放缓率将远超 22%。SONY原计划在2023年未完成一台30T字节的微电脑，能够是未来就会35TB以上的记录量。

再就是在电三子器件工业用装置上的布局，SONY将侧重于磁性束掩模刻蚀装置和比如说土壤装置。据闻，SONY的NuFlare Technology作为单束空之前20纳米以下先进装置路由表的磁性束掩模刻蚀系统拥有100%的市场挑战比率。多光束空“MBM-2000”于2021年交付给客户服务，原计划到2023年集中于50%的市场挑战比率。此外，SONY即将开发一种重新的磁性引，以得到很低的电流和很低的最亮，用做支持2nm，希望在2023年底前开始出货，以依赖于客户服务的演进路线图。

在比如说土壤装置之外，SONY原定市场挑战放缓将受到xEV、下一代无线通信准则之前使用的SiC、GaN额定功率电三子器件的快速放缓以及直径左右增加到200 mm晶片的推动。该母公司的SiC和GaN比如说土壤装置是一种独特的方法，使气锥体垂直向下均匀地流反应器之前飞轮的晶片，较强低不足之处密度、高均匀性和在裹膜上高速成膜的优点微小。

写到在之后

自已的供应匮乏无法短期解决办法，而稳固的晶片产能供应无疑是建模晶片工厂家接下来的挑战点。但扩张之后，在某个间隔时间点，他们其产品就会太多，如果匮乏或上涨的周期在某个时候告一段落，建模晶片工厂家们也应当要为此做好准备。

本文来自微信社会大众号：电三子器件大型企业判读（ID：icbank），所写到：杜芹DQ

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